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本論文利用化學氣相傳導法,成長出過渡金屬硫屬化合物半導體材料 CuInP2Se6,並研究其結構、光學與電學特性。藉由能量色散X射線光譜、X 射線光電子能譜儀確認成長之材料成分與預期相符。高解像能電子…