檢索結果:共8筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="薄膜" and ckeyword.raw="電特性" and ckeyword.raw="電特性"
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶,製備出p型Zn摻雜…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜,如GaN與InGaN等薄膜,濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶,靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
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本論文以實驗室自行壓製陶金靶材,採用RF反應式濺鍍法及利用氮氣混入濺鍍氣體進行製備n型的CuSnSO薄膜與p型的CuSnSNO薄膜,並探討靶材中不同SnS含量比例、沉積溫度及氮元素的摻雜對於薄膜品質…
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本研究中所使用的金屬硫化物陶金靶材是由本實驗室熱壓機自行壓製而成,利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下能夠成功地製備出具高電催化特性之Ag/MoSx薄膜。實驗中,探討靶材中不同Ag含量比例,不同硫化物與…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材,採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜,以N取代O的位置,期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中,觀察在不同氧氣…
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本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜,並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜,並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體,進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…