檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="三維NAND快閃記憶體" and ckeyword.raw="快閃記憶體" and ckeyword.raw="快閃記憶體轉換層"
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干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加,氧化層變薄。 因此,存儲在電池中的電荷變得更容易丟失,這將導致Vth發生負向偏移。 同時,由於FN隧道…