檢索結果:共3筆資料 檢索策略: cdept.raw="材料科學與工程系" and cdept.raw="材料科學與工程系" and ckeyword.raw="電漿氧化"
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本論文使用磁控式濺鍍系統沈積為薄膜生成的主要製程,結合製程技術快速且低氧化溫度之電漿氧化製程,製備本實驗所需之太陽能選擇性吸收膜,並探討其吸收膜之光學性質及結晶結構。第一部份實驗為沈積一層Cu薄膜在…
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本研究利用共濺鍍系統沉積出TaN(Cu)的混合薄膜,並使用電漿氧化的方式直接氧化下電極製作出中間電阻層,之後再沉積出TaN薄膜當作上電極,製備出TaN/Cu-TaOx/TaN(Cu)的MIM三層結構…
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層,以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層,上電極皆以Al濺鍍,製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…