檢索結果：共17筆資料 檢索策略： cdept.raw="材料科學與工程系" and cdept.raw="材料科學與工程系" and ckeyword.raw="濺鍍"
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
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近年來，許多研究者紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池真空製程之研究，而真空製程方式極多，主要分為濺鍍與蒸鍍，本實驗使用真空濺鍍當作主要製程。 本實驗是利用不同靶材濺鍍出CIGSe薄膜，再將陶瓷CIGS…
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本研究先利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下製備出MoSx-Ag薄膜，接著分別以RF磁控濺鍍法以及電化學沉積法進行第二層的披覆改質，主要目的是希望讓酸性電解中有優異析氫能力的MoSx，能夠經第二層表面批…
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本論文以實驗室自行壓製陶金靶材，採用RF反應式濺鍍法及利用氮氣混入濺鍍氣體進行製備n型的CuSnSO薄膜與p型的CuSnSNO薄膜，並探討靶材中不同SnS含量比例、沉積溫度及氮元素的摻雜對於薄膜品質…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中，並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材，經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜，期望藉由…
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本論文研究主要分為兩大部分，第一部份以Ni-YSZ碟型基材作為陽極支撐(anode-supported)，第二部份以YSZ碟型基材作為電解質支撐(electrolyte -supported)，利用…
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層，以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層，上電極皆以Al濺鍍，製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
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本研究利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下製備光電陰極及光電陽極之薄膜。 在光電陰極的部分本研究利用矽基板為基材，對其以磁控濺鍍法進行 In2O3 薄膜披覆，其主要目的是希望在酸性電解液中有優異的析氫能…