檢索結果:共49筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="呂學坤" and cdept.raw="電機工程系" and cdept.raw="電機工程系"
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近年來,隨著科技的進步也帶動人們對於各類型消費性電子產品的需求,在這些電子產品中記憶體扮演著不可或缺的腳色,在眾多的非揮發性記憶體當中,自旋轉移矩磁阻式記憶體被視為目前最有希望可以取代快閃記憶體的新…
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近年來,深度神經網路 (Deep Neural Network, DNN) 被廣泛的應用在許多領域之中,例如自動駕駛、人臉辨識以及智慧家電等,深度神經網路模型透過大量的訓練資料,使正確率 (Accu…
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近年來,深度神經網路 (Deep Neural Network, DNN) 被廣泛的應用在許多領域之中,例如自動駕駛、影像辨識以及生物醫學電子設備等,皆可達到一定的正確率 (Accuracy),而使…
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快閃記憶體為具有低功耗、可擴充性、高效能等優點的非揮發性記憶體,使其成為消費性電子產品中常見的儲存元件,像是固態硬碟、手機和筆記型電腦等產品。快閃記憶體的儲存方式是將電子儲存至浮閘中,隨著製程的進步…
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由於科技的迅速發展,為人類帶來了更方便的生活。如消費性電子產品,已經走進了人類的日常生活,並且隨處可見。而世代不斷的演進,資料的儲存一直都是非常重要的環節,故人類對於儲存裝置的需求,也隨著世代的…
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動態隨機存取記憶體 (Dynamic Random Access Memory, DRAM) 由於其高密度、使用壽命長與低成本等優點經常被廣泛使用於現代電子產品上,而隨著製程的進步,記憶體的良率(Y…
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近年來,超大型積體電路 (VLSI) 技術的快速發展使得電晶體的數量與記憶體細胞密度顯著增加,這個結果已經嚴重威脅到記憶體陣列的良率與可靠度,使得良率明顯下降。因此故障分散 (Fault Scram…
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錯誤修正碼與內建自我修復 (BISR) 技術被廣泛的用來改善記憶體良率與可靠度。而這兩個技術主要處理的錯誤與瑕疵分別為永久瑕疵 (硬錯誤) 與軟錯誤。在過去有許多研究探討如何使用錯誤修正碼與 BIS…
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傳統記憶體如DRAM與快閃記憶體,皆以儲存電荷的方式儲存資料,但此種方式在微縮製程上遇到了瓶頸,例如電荷量的限制。因此近年來,多種電阻式記憶體被提出,其中相變化記憶體最受關注,其原理是利用材料在不同…
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近年來,錯誤修正碼 (ECC) 技術與內建自我修復 (BISR) 技術皆被廣泛地使用來提升記憶體的良率與可靠度。錯誤修正碼技術以及內建自我修復技術主要分別用來處理軟錯誤與硬錯誤。而在過去有許…