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| 研究生： |
鄧恆發 Heng-Fa Deng |
|---|---|
| 論文名稱： |
金氧半場效電晶體輻射劣化與雜訊分析 The analysis of the radiation effect and low frequency noise in MOSFETs |
| 指導教授： |
劉政光
Cheng-Kuang Liu |
| 口試委員: | none |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
電資學院 - 電子工程系 Department of Electronic and Computer Engineering |
| 論文出版年： | 2021 |
| 畢業學年度： | 80 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 102 |
| 中文關鍵詞： | 金氧半場效電晶体 、輻射劣化 、雜訊分析 、伽瑪輻射 、平帶電壓 、臨限電壓 、陷阱能階 、微變理論 |
| 相關次數： | 點閱：143 下載：0 |
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金氧半場效電晶體，因其高輸入阻抗，體積小，及較成熟的制程，已成極為重要的元
件，而輻射的效應，對輻射環境的元件，為一重要的課題。
金氧半場效電晶體受伽瑪輻射照射后，明顯影響平帶電壓V 向負方向增加，另外臨
限電壓V ，為了補償氧化層內正電荷的增加，亦隨之增加。
本文利用DLTS的量測技術，求得待測元件的陷阱能階，及連續性介面狀態密度在能帶
中分布的情形，并由后者，探討照射對其介面狀態密度的影響。
最后，由DLTS量測的結果，并依循數目微變理論，探討雜訊模型的適用性，依此模型
比較各元件的雜訊值，我們發覺劑量最大的元件雜訊值最大。
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