檢索結果：共31筆資料 檢索策略： "silicon carbide".ekeyword (精準)
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碳化矽是一種具有優異電子特性和高熱穩定性的半導體材料，4H導電型碳化矽基板作為高功率半導體元件製造中的最常用也最重要的材料，其中晶體缺陷對對後續元件的品質有很大的影響，輕則元件效率降低重則元件失效，…
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本論文針對碳化矽的低溫製備，考慮利用具有低共晶點的金屬矽化物合金作為合成碳化矽的矽來源，利用金屬矽化物合金比起原始組成之金屬有熔點急劇下降的特性，期望在較低的溫度下使其與活性碳反應來生成碳化矽鍵…
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電動汽車、再生能源及快速充電等高功率元件的應用矽功率元件已無法滿足市場需求，因此單晶碳化矽 (SiC) 相較於單晶矽具有高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率等特性較適合用於高功率元件，然而單晶碳化矽具有…
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本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上，以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體，達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
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摘要 由於石墨烯的單原子層高導電性、光學透明性、高機械強度以及可彎曲性，現今其被應用於光電元件、生物成像、化學感測器、光譜學和邏輯元件等領域。得益於石墨烯的良好載子遷移率、零能隙以及線性色散的能帶關…
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在本篇論文中，吾人以帶有不同應力影響之磊晶石墨烯奈米牆(epitaxial grapheme nanowalls, EGNWs)作為電極，並將葡萄糖氧化酶酵素(glucose oxidase)固定於…
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本研究使用AZ91合金作為基材，使用粒徑尺寸50 nm與1 μm SiC顆粒，固定添加碳化矽比例2 wt.%分別製成單一粒徑尺寸(50 nm、1 μm)複合材料與同時添加不同粒徑尺寸(50 nm+1…
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本研究並聯三個模組，設計與實現了輸出電壓 750 Vdc 功率 12 kW 之升壓型功率因數修正器。其中每一個模組都可以單獨輸出 4 kW，而 PFC 則是透過 Texas Instruments …
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本論文分為兩個部分，第一部分目的在探討使用共濺鍍氣相沉積法製備碳化矽薄膜。不同於高溫(1600℃)化學氣相沉積法製備碳化矽薄膜，本研究之重點在於利用矽合金靶材和碳靶在相對低溫的下以不同射頻電漿製程參…