檢索結果:共6筆資料 檢索策略: "reactive sputter".ekeyword (精準)
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本研究主要以反應性濺鍍來成長NbNx薄膜於銅-矽基材多層膜系統中擴散阻障層失效機制的研究。觀察N2/Ar流量比對NbNx薄膜之沈積速率、N/Nb原子比、結晶結構、電阻率及表面型態之影響。實驗結果顯示…
2
本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極,以取代昂貴之白金(Pt)作為電極,並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy,製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…
3
為了實現塑膠基板薄膜電晶體的目標,我們成功地利用反應式濺鍍的方式來沉積對351nm波長具備0~56000cm-1吸收係數之SixNy半透光膜,並配合熱滯留輔助結晶技術,在塑膠基板上開發出超低溫多晶矽…
4
本研究分為兩個部分,第一部分為使用反應式濺鍍法(Reactive sputtering)沉積摻釩之類鑽碳薄膜(V-DLC),透過改變工作壓力調整V-DLC薄膜的表面形貌和結構,藉由SEM、R…
5
摘要 本研究主要提出氧化釓摻雜氧化鈰(Gadolinia-doped Ceria, GDC)薄膜於固態氧化物燃料電池中固態電解質層應用的可行性評估。GDC薄膜係以射頻反應性濺鍍法(RF-Re…
6
本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體,其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜,利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2,介面陷阱密度為6.4×…