檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "a-Si:H".ekeyword (精準)
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本研究係以超高頻電漿輔助化學氣相沉積系統(VHF-PECVD)製備本質氫化非晶矽膜層用於鈍化單晶矽基材，研究重點之一為與射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備氫化非晶矽膜層來作比較外，…
2
本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以設計出非晶…
3
本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後， 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現， 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘，p 型膜層呈現微 晶化的結構，其導電率可…
4
本論文乃以未來世代高效率矽晶太陽能電池的技術發展為議題，針對矽晶太陽能電池製作可能的矽晶異質接合，依據實驗室既有的以本質氫化非晶矽為鈍化層的矽晶異質接合太陽能電池η = 19.6 %、Voc = 6…
5
本研究使用超高頻電漿化學氣相沉積系統來製備微晶矽薄膜，同時利用放射光譜儀來觀測電漿中成分的變化，並將放射光譜儀的量測結果和薄膜的結構特性做比較。並藉由調整電漿功率、反應總壓、上下電極間距、氫氣稀釋比…
6
本論文針對鍺晶低能隙的特性，開發以鍺晶為基板之鍺晶異質接合太陽能電池，研究重點在比較射頻電漿輔助化學氣相沉積氫化非晶矽以及氫化非晶鍺薄膜來鈍化矽晶或鍺晶表面之效果。實驗以反射式高能電子繞射儀觀察非晶…
7
本研究係在以較大面積(20×20 cm2)之射頻電漿輔助化學氣相沉積系統中，通入矽甲烷原料以不同製程條件於單晶矽表面沉積氫化非晶矽形成異質接合結構。研究重點在探究在此一沉積系統中氫化晶矽的鍍…
8
本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數反應壓力及三甲基硼(TMB)摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以探求非晶…
9
本研究係用射頻電漿系統沉積氫化非晶矽薄膜，調變製程重要參數如氫氣稀釋比、基材溫度、工作壓力以及電極間距等，藉由傅立葉轉換紅外光光譜儀(FT-IR)以及紫外光/可見光光譜儀(UV-VIS)等分析方法，…
10
本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術，作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示，沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …