檢索結果：共24筆資料 檢索策略： "Wen-Cheng Ke".eadvisor (精準)
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氮化鎵擁有高能隙、高電子飽和速度及高崩潰電場等優越特性，成為第三代 高頻、高功率應用元件之寬能隙半導體熱門材料。然而高功率操作下，元件產生 高溫，傳統金屬電極特性衰退，致使元件性能產生熱退化問題。因…
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石墨烯具有優異導電性、熱傳導性與機械化學穩定性，近幾年已被廣泛運用於發光二極體中改善元件性能。如:石墨烯界面層可使用來降低元件內部插排缺陷密度，然而，石墨烯光穿透率隨其層數增加而下降，導入石墨烯將使…
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氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMTs)在高功率操作下，傳統金屬電極與元件結構層間之電致遷移現象變得更為嚴重，電致遷移現象除了使電晶體源極與汲極之歐姆接觸電阻上升；也導致閘極產生漏電路徑，使電…
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石墨烯是碳原子依六角形排列之二維材料,具有高電子遷移率、熱傳導度、機械特性與低片電阻等特性,相較於氧化銦錫,單層石墨烯在波長小於 280 nm下依舊維持>90 %之高穿透率,使其成為應用於深紫外光 …
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氮化鎵於矽基板上成長時，因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力，造成高密度差排缺陷，降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層，提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料，垂直膜…
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為了促使LED元件達到更高的發光強度與使用壽命，同時避免電流堆積造成的高溫與光電性質劣化，多年來研究團體持續找尋適當的LED導電層。本研究欲在氮化鎵LED基板上製備具備熱穩定性的n型超奈米晶鑽石薄膜…
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下世代微發光二極體(Micro LED)顯示技術為追求更高解析度，LED晶粒需大幅縮小，然而當晶粒尺寸微縮時，亮度也隨之降低，增加注入電流維持顯示所需足夠亮度為最快解決方法。目前LED使用之氧化銦…
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本研究利用自組裝混成式化學氣相沉積系統(Hybrid Plasma CVD, HPCVD)，於矽基板成長類鑽碳膜，並調整甲烷/氫氣比例流量、工作壓力、射頻電漿瓦數、氬氣流量等製程參數，製備高硬度類鑽…
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近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
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目前矽晶太陽能電池仍為市場主流，其中鈍化射極接觸(passivated emitter rear cell, PERC)太陽能電池，其製程簡單且能有效提升光電轉換效率，逐漸成為廠商發展高效率太陽能電…