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    1
    氮化鎵元件與矽共舞
    • 光電工程研究所 /109/ 碩士
    • 研究生： Selvy Uftovia Hepriyadi   指導教授： 葉秉慧
    • GaN-based passive matrix LED has been studied intensively for the last decade due to its potential …
    • 點閱：305  下載：0 
    • 全文公開日期 2026/09/12 (校內網路)
    • 全文公開日期 2026/09/12 (校外網路)
    • 全文公開日期 2026/09/12 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

    2
    以氮化鎵磊晶於矽基板的發光二極體晶圓研發垂直共振腔面射型雷射
    • 電子工程系 /111/ 碩士
    • 研究生： 李敏宏   指導教授： 葉秉慧
    • 在過去，本實驗室是以氮化鎵磊晶於藍寶石基板(GaN-on-Sapphire)的晶圓，並搭配客製化的磊晶式DBR與介電質DBR做為下上反射鏡，成功製作出垂直共振腔面射型雷射(Vertical-cavi…
    • 點閱：234  下載：0 
    • 全文公開日期 2025/07/28 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/07/28 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/07/28 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

    3
    單晶矽奈米流道梯型凹槽最少切削道次估算及驗證
    • 機械工程系 /104/ 碩士
    • 研究生： 馬士閎   指導教授： 林榮慶
    • 本文利用比下壓能觀念，建立兩種最佳化之逐步逼近到預定之奈米流道梯形凹槽深度之目標收斂函數的最少切削道次之估算方法。第一種為三切削道次偏移循環加工方法，每一切削道次皆為固定下壓力進行加工，進而估算出達…
    • 點閱：399  下載：0 
    • 全文公開日期 2021/08/01 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

    4
    應用比下壓能及改變下壓力之單晶矽奈米流道凹槽加工模擬模式建立與實驗研究
    • 機械工程系 /101/ 碩士
    • 研究生： 林建廷   指導教授： 林榮慶
    • 本文創新提出假設不同軸向比下壓能的值約為相同之定值的概念，依據不同軸向的比下壓能理論模式,以及已知奈米級加工深度及刀具形狀,推導出估算奈米級加工單晶矽工件V型溝槽的下壓力及切削力的理論公式。本文先進…
    • 點閱：287  下載：4 
    • 全文公開日期 2018/07/30 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

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    單晶與多晶矽基板鑽石線鋸加工之切屑分析研究
    • 機械工程系 /102/ 碩士
    • 研究生： 詹明賢   指導教授： 陳炤彰
    • 目前太陽能電池製程前端所使用之結晶矽基板，主要以複線式線鋸加工技術(Multi Wire Sawing)進行矽晶錠切片(Slicing)，其中游離磨料線鋸受到切割高硬脆材料效率不佳、漿料會對環境汙染…
    • 點閱：501  下載：30 
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