檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "Shun-Tong Chen".ecommittee (精準)
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)，具有高崩潰電壓(High Breakdown Voltage)及低的阻抗, 因此在高功率元件市場的潛力無窮，但單晶碳化矽基板也因高硬度及高…
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目前太陽能電池製程前端所使用之結晶矽基板，主要以複線式線鋸加工技術(Multi Wire Sawing)進行矽晶錠切片(Slicing)，其中游離磨料線鋸受到切割高硬脆材料效率不佳、漿料會對環境汙染…
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在化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/ Polishing, CMP)製程中，需要鑽石修整器來維持拋光墊表面之穩定性，而拋光墊表面形貌會直接影響…
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半導體製造規格不斷的縮小、以及堆疊層數增加的情況下，使得化學機械拋光製程(Chemical Mechanical Polishing, CMP)對臨界尺寸控制需更加要求，因此在製程終點控制面臨重大挑…
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澳洲聯邦科學暨工業研究院與德國聯邦物理技術研究院使用 Cup-type球拋機搭配氧化鋁磨料研光和粗拋與酸性的二氧化鈦拋光液精拋製出單晶矽晶球，並在2019 成為最新的國際質量原器。本研究自行設計四旋…
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況，因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除，維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…
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單晶矽晶圓為半導體的重要元件，近年來，電子產品被大量使用而導致矽晶圓供不應求，而如何有效率增加矽晶圓的產量是一直以來關切的議題。本研究將延續先前電泳反應式鑽石線鋸製程，並研發一款選擇性電泳沉積(Se…
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本研究目的為探討二氧化矽顆粒於化學機械研磨/平坦化(CMP)製程中的加工機制。研究方法是將直徑為800奈米的二氧化矽顆粒黏著於探針尖端，形成顆粒式探針(tip-grit)，與運用封閉式回饋控制系統原…