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    TaN1+x/Si(111)之界面反應研究
    • 機械工程系 /93/ 碩士
    • 研究生： 許益豪   指導教授： 鄭偉鈞
    • 摘 要 本研究探討高氮量氮化鉭(TaN1+x)薄膜於矽基材之系統中，TaN1+x/Si界面微結構及反應，研究中採用Si(111) 5英吋晶圓為基板，以濺鍍方式沈積氮化鉭金屬薄膜30 nm，於…
    • 點閱：171  下載：0 
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)

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    複合材料電極濺鍍於鐵電材料之電性研究
    • 機械工程系 /93/ 碩士
    • 研究生： 張鈞源   指導教授： 周振嘉
    • 由於鐵電薄膜多為氧化物，且製程溫度都是在高溫，因此大多搭配使用抗高溫氧化之電極材料作為電極。貴金屬Pt是常使用之材料，然而Pt電極的價格偏高，若能使用較便宜的金屬電極來代替，又能維持導電性，進一步又…
    • 點閱：330  下載：1 
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)

    3
    Cr/Ta2N/Si(100)之界面反應研究
    • 機械工程系 /93/ 碩士
    • 研究生： 林彥佑   指導教授： 鄭偉鈞
    • 摘 要 本研究探討氮化鉭薄膜於鉻/氮化鉭/矽之系統中，其鉻/氮化鉭/矽界面微結構及反應，期望對氮化鉭薄膜於金屬鉻的阻障層作用有更進一步的了解。 研究採用12英吋Si(100)晶圓為基板，以濺…
    • 點閱：192  下載：3 

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    SnS2, GaxSb(1-x)及 SnS 奈米材料合成與光電性質研究
    • 材料科學與工程系 /112/ 碩士
    • 研究生： 陳在威   指導教授： 王秋燕
    • 本論文研究內容分為三大部分：SnS2奈米片的成長與結構分析及退火前後電性變化及退火參數的討論。第二部分為不同組份的GaSb奈米線之製備與結構分析、探討退火對於異質結構的擴散情形及黃光製程上對應的量測…
    • 點閱：32  下載：0 
    • 全文公開日期 2034/02/16 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

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    銅鍺合金奈米線的製備及其電性之研究
    • 材料科學與工程系 /111/ 碩士
    • 研究生： 張庭翔   指導教授： 王秋燕
    • 本研究主要為銅-鍺合金的奈米線材料的製程、材料微結構分析和電性量測表現。分為兩大主題，Cu3Ge和Cu3Ge/Ge材料系統。第一部分為金屬線的Cu3Ge，在Cu3Ge的系統中在熔點以下和熔點…
    • 點閱：318  下載：2 
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