檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "Polishing Pad".ekeyword (精準)
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根據世界智慧財產權組織(WIPO)統計報導，善加利用專利資訊，可以縮短研發時間60%，節省研發經費40%，專利資訊既是技術文件，也是法律文件(權力文件)，根據統計，產業界的KNOW-HOW，百分之八…
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CMP(Chemical-Mechanical Planarization)為化學機械平坦化製程被應用於IC製造。在半導體線寬縮減的迫切需求下，穩定性和可用性於CMP製程已成為非常重要的課題。然而目…
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本研究主要為結合超臨界微細發泡射出成形技術(Microcellular Injection Molding, MIM)與化學機械平坦化製程(Chemical Mechanical Planariza…
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本研究主要為研發線上拋光墊監測系統，透過彩色共軛焦量測系統架設應用於旋轉式拋光機台，利用拋光盤面的旋轉運動以及搖臂的搖擺旋轉運動，搭配彩色共軛焦系統擷取高度資訊，進行線上監測之拋光墊表面形貌的掃描及…
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本研究主要在建構用於化學機械平坦化拋光之拋光墊表面形貌分析，自行研發設計一款雷射共軛焦三維表面形貌掃描儀，並開發對拋光墊形貌分析之專用程式。主要方法為將雷射共軛焦儀架設於龍門線性馬達平台，回授平台X…
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本研究先建立不同研磨液溫度及不同研磨液體積濃度之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。我們先將矽晶圓浸泡在不同溫度及不同體積濃度研磨液後,接著進行原子力顯微鏡實驗,計算得出浸泡不…
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化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)已成為積體電路製程之關鍵技術，其中拋光墊(Polishing Pad)在整個CMP製程中扮演相當重要的角…
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本研究先建立室溫下不同體積濃度之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。我們將矽晶圓浸泡在常溫下不同體積濃度研磨液後,接著進行原子力顯微鏡實驗,計算得出浸泡室溫不同體積濃度…
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本研究目的為下壓力對於軟拋墊表面微突起接觸面積的影響與材料移除率預測模型應用於銅薄膜化學機械拋光製程。實際方法使用X-ray電腦斷層掃描儀進行軟拋墊的微觀形貌掃描，再透過三維分析軟體組建軟拋墊的微觀…
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本研究旨透過整合電腦積層拋光墊形貌模型(Computed Additive Pad Topography, CAPT)建立軟式複合墊3D模型，並藉由3D模型模擬拋光墊Asperity特徵參數，參數包…