檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "Pad cutting rate".ekeyword (精準)
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化學機械平坦化/拋光(CMP)製程已被廣泛用於製造積體電路(IC)。為了使製造IC的成本降低,晶圓的尺寸越來越大,CMP製程就需要使用夠大的拋光墊。較大的拋光墊尺寸會導致在CMP製程中,拋光墊表面形…
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本研究目的為建立搖臂式拋光墊修整之數位雙生系統,整合搖臂控制模組及動態量測模組透過Modbus通訊協議連接實體搖臂與應用程式,可收集搖臂之實時資料,並透過彩色共軛焦感測器架設於搖臂上,以近似阿基米德…
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在化學機械平坦化製程中,化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況,因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除,維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…
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在化學機械平坦化製程中,化學拋光液和晶圓移除的殘屑可能會積 聚在拋光墊表面,通過修整製程去除這些殘屑。故此拋光墊修整對於 CMP 性能至關重要且影響 IC 製造良率。本研究主要針對比較行星式修 整和…