檢索結果：共43筆資料 檢索策略： "Kwong-Kau Tiong".ecommittee (精準)
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本論文是利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport, CVT) 成長層狀半導體Mo(SxSe1-x)2，其傳導劑為碘 (I2)。從X光繞射實驗可以確定此系列單晶之成分…
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層狀單晶半導體Mo1-xWxSe2屬於過渡性金屬雙硫屬化合物(Transition-metal-dichalcogenides) 簡稱TMDCs，層與層之間僅有微弱的凡得瓦爾作用力 (Van der…
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使用射頻磁控反應式濺鍍法製備異質奈米材料於SA(100)、SA(012) 、LTO(012)基板上。本實驗分為二部份，一為先行沉積金紅石結構二氧化鈦於以上各種基板上，探討金紅石結構二氧化鈦奈米柱形貌…
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本論文主要利用無接點式電場調制反射(CER)光譜來研究分子束磊晶所成長多重量子井和非對稱耦合量子井結構。 從CER光譜中能在很廣泛的範圍顯現出這些結構可能的光學躍遷訊號；然後藉由一階導數的勞倫茲…
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本論文以化學汽相傳導法(Chemical vapor transport method)，利用碘(Iodine)當作傳導劑成長出Mo1-xNbxS2(0 ≤ x ≤ 1)共21種系列成分化合物之單晶…
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本次論文研究主要是以使用Ti[OCH(CH3)2]4當前驅物，於垂直冷壁式有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統中成長垂直成長二氧化鈦(Titanium dioxide，TiO2)奈米晶體。首先藉由…
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本論文分別利用光激發螢光光譜(PL)、反射光譜(R)以及表面光電壓光譜(SPS)等量測技巧，藉由改變溫度及入射光角度對不對稱共振腔(Asymmetric Microcavity)、共振腔發光二極體 …
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本論文利用光子調制反射光譜(PR)、壓電調制反射光譜(PzR)和光激螢光光譜(PL)來研究以氣態分子束磊晶法成長在GaAs基板上不同Sb成份之GaAs1-xSbx薄膜及其退火光學特性。由PzR、PR…
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使用[(CH3CH2)C5H4]2Ru 以及[OCH(CH3)2]4 Ti 當前驅物，使用冷壁式有機金屬化學氣相沉積系統成長二氧化釕(RuO2)以及金紅石結構之二氧化鈦(R-TiO2)奈米晶體並將二…
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本研究的目的主要在設計及製造一種單層多晶矽非揮發性記憶元件，此元件係由N-型場效電晶體 (NMOSFET) 及金氧半 (MOS)電容器組合而成。場效電晶體的閘極和電容器的下電極共用同一層多晶矽，而此…