檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "Jhy-Cherng Tsai".ecommittee (精準)
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本研究主要探討手機相機光學系統的容差設計及機械容差對系統的影響。研究的進行先選用適當的專利規範為參考的光學系統結構，繼而依產品需要的規格變更設計參數值。在反覆尋求最適設計的過程中，較棒的操作是利用約…
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透鏡組設計結構參數的選用為影響整體系統成像品質優劣的重要因素。本文以Cooke鏡組為例探討如何利用穩健化設計技術配合現有的光學設計商業軟體，進行有效率的系統設計。研究中應用田口方法於成像品質已不錯的…
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化學機械拋光是半導體製程中可達到全域性平坦化的一項重要技術，但是化學機械研磨應用於銅導線與以Low-k材料為主的介電層之多層導線架構平坦化製程時，易造成殘留應力、刮痕與平坦化後後續清洗等都是需要克服…
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拋光墊的物性和表面性質會強烈的影響到平坦化加工的效果和效率。除了物性和表面性質外，拋光墊的溝槽設計亦是重要的一環。良好的溝槽圖案具有增進拋光液的利用率、調整拋光液層、排除平坦化後的殘餘物和調整拋光墊…
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隨著積體電路(Integrated Circuit, IC)迅速發展演進，晶圓上金屬導線之線寬隨科技發展越來越小，在微型化發展過程中，為達金屬導線線寬微小化之目的，則需進行高解析度之微影製程，晶圓表…
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化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/Polishing, CMP)製程在半導體製程中對於積體電路的製造品質有著舉足輕重的影響，將鑽石修整技術應用…
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固定式磨料或鑽石線鋸切割技術（DWS）隨著技術的進步已逐漸被開發為游離磨料線鋸切削（SWS）的潛在替代品，可用於對硬質和脆性材料進行切片。儘管此技術有許多優點，DWS工藝仍會在切割表面上造成粗糙度、…
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化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導體製造中最關鍵的製程且廣泛應用。了解拋光墊與晶圓接觸的機械相互作用以及晶圓表面的化學變化對於CMP製程的材料…