檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "IGZO".ekeyword (精準)
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金屬氧化物薄膜電晶體一般都採用下閘極上接觸式的結構，以防止TFT-LCD的背光源照射到通道層材料進而影響其電特性。另外在此下閘極結構中，因為要考慮到光罩間對位的誤差，而將其汲極和源極設計成與閘極各有…
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金屬氧化物半導體薄膜電晶體（Oxide-TFT）由於其高載子遷移率、高可見光透明性、大面積均勻性、低溫製成及低漏電流…等，於近年來常被應用於大尺寸面板甚至是攜帶型產品中作為驅動或是補償電路的元件使用…
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近幾年來，薄膜電晶體技術(TFT)發展地非常迅速，它被廣泛的應用在積體電路和顯示器設備上。傳統上薄膜電晶體大多使用非晶矽材料，但銦鎵鋅氧化物在近年來也逐漸被關注，它擁有更快的載子遷移率，能夠更有…
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一般而言，薄膜電晶體使用黃光微影製程來進行圖案化以防止柵極漏電流，但是該方法不適合用於溶液製程的薄膜電晶體。我們開發了一種簡單快速的方法，透過旋轉塗佈自組裝單分子來製造具有低柵極漏電流的薄膜電晶體。…
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主動式有機發光二極體(AMOLED)由於其優異的特性，近年來受到市場上相當的矚目，像是廣視角、快的反應速度、高對比、高色彩飽和度、和自發光性等等。而在有機發光二極體顯示器的尺寸日益增大，造成其電壓衰…
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在顯示科技方面上，金屬氧化物半導體因擁有較高的均勻度利於大面積製程、可低溫製程、較低的製程費用等優點，因此被視為現今最具潛力的薄膜電晶體材料。場效載子遷移率扮演影響薄膜電晶體電特性好壞一很重要的腳色…
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主動式有機發光二極體(AMOLED)被視為次世代的顯示技術，由於其廣視角、快的反應速度、高對比、高色彩飽和度、和自發光性等特性，已經可以與發展成熟的TFT-LCD相比擬了，使其近年來受到市場上相當的…
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由於金屬氧化物薄膜電晶體獨特的製程特質及材料特性，使它們在新興的薄膜電晶體應用上成為最具有競爭性的選擇，包含均勻性好可以應用在大尺寸的面板、低溫製程而應用於可撓式的結構以及低成本製作等特殊需求的產品…
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In this study, top gate solution processed indium gallium zinc oxide (IGZO) thin film transistor is…