檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "IGBT".ekeyword (精準)
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本論文的目的在於研製一輸入高電壓、輸出大電流的直流-交流轉換逆變器，作為大功率電動車輛之動力馬達驅動器使用。本論文提出的架構，在功率級的部分將使用多數量的離散式絕緣閘雙極性電晶體來進行並聯，達到設計…
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本論文主要研究功率半導體元件，而理想的元件有低導通阻抗、高耐壓的特性；傳統的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(power MOSFET)在高耐壓的時候有導通電阻過大的問題，因此不適合作為高耐壓元件，而…
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此篇論文提出了以無接面金氧半場效電晶體觸發之功率橫向絕緣閘極雙極性電晶體。傳統的絕緣閘極雙極性電晶體中，藉由導通元件的PN二極體，進而有效的降低漂移區的串聯電阻，即為傳導調變效應。但這種功率元件…
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本論文主要研究功率半導體元件，而做為開關器使用之功率半導體元件，理想上的導通狀態為短路，並且在截止狀態為開路；在市面上像是傳統的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)在耐高電壓時有過大的串聯…
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近年來，由於電子產品以及電力交通工具的蓬勃發展，使得功率積體電路的應用越來越廣。絕緣閘極雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)同時具有高電流與高…