檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "Hu Yi".ecommittee (精準)
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本研究聚焦以 α-氮化碳 (Alpha carbon nitride, α-C3N4) 作為介電層，應用於雙極電阻式記憶體 (Bipolar Resistive Random Access …
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本研究透過化學氣相沉積法生成雙層石墨烯，並利用兩種改質方式修飾石墨烯，一種為紫外光臭氧處理，可以提高石墨烯表面含氧官能基，增加氨氣吸附能力及光電子轉移效果，另一種為濺鍍ITO奈米顆粒於表面，適當分布…
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本論文研究的內容分成四個部分。第一個部分是在矽基材上製備鎳金屬觸媒，利用無電解鍍鎳法先在基材上鍍上一層鎳的薄膜，以利使用SLS機制成長矽奈米線。 第二部分為藉由熱退火處理的機制，在高溫爐管中進行熱處…
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石墨烯僅有原子級的厚度且不佔有體積，比表面能相當高，屬於半導體材料及具有極高的載子遷移率，氣體吸附的電荷轉移靈敏度高，對於製作成元件同時兼具傳輸層與感測層的特殊性質，對於各種分子的吸附具有相當的優勢…
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本研究主要分為三部份，首先以Cu(B)薄膜作為硼摻雜來源，透過快速升溫化學氣相沉積系統(Rapid thermal chemical vapor deposition system, RTCVD)來…
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本研究使用磁控式濺鍍，利用矽油（silicone oil）作為液態基材，分別濺鍍氧化鋅和氮化鈦，於矽油中形成氧化物和氮化物的奈米顆粒，並分析材料之特性，實驗可分為三部分，第一為不添加矽油直接濺鍍氧化…
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本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極，以取代昂貴之白金(Pt)作為電極，並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy，製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…
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Graphene/Si Schottky junction was modified with chromium and tin-doped indium oxide (ITO) nanoparti…