檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "Hao-Hsiung Lin".ecommittee (精準)
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本論文利用非破壞式光學量測技術，探討新穎四元化合物 GaAsPSb 薄膜與 InGaP/GaAsPSb/GaAs 雙異質接面雙極性電晶體 (double heterojunction bipolar…
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本論文利用光子調制、非接觸式電場調制、光子穿透、表面光電壓光譜、波長調制表面光電壓光譜及光激發光譜研究含Sb及N化合物GaAsSbN及InGaPN薄膜、GaAsSb/GaAs、InGaAs(Sb)/…
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本論文是以化學氣相傳導法利用三氯化碘(ICl3)為傳導劑成長β-In2S3及物理氣相傳輸法成長InS及In6S7來得到此硫化銦系列半導體之晶體，同時對此系列晶體之特性藉由光學量測的方式對其特性加以研…
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本論文主要對於金屬氧化物半導體薄膜奈米結構中alpha相單斜結構三氧化二鉍(alpha-Bi2O3)、立方結構三氧化二銦(c-In2O3)以及岩鹽結構(rock-salt)氧化鎳(NiO)加以研究以…
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本論文為利用光反射調制光譜(PR)、非接觸電場調制反射光譜(CER)、 壓電調制反射光譜(PzR)、表面光電壓(SPV)、與光激發螢光光譜(PL)等光學技術，研究銻砷化鎵/砷化鎵量子井(GaAsSb…
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本論文利用光子調制反射光譜(PR)、非接觸式電場調制反射光譜(CER) 、光激發螢光光譜(PL)以及傅氏轉換紅外線光譜(FTIR)研究寬能隙硒化鋅鎘系列II-VI族化合物Zn0.46Cd0.54Se…
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本論文主要探討利用垂直冷壁式有機金屬化學汽相沉積法(MOCVD)成長一維二氧化鈦(titanium dioxide; TiO2)奈米晶體及具金紅石結構之導電氧化物二氧化銥(iridium dioxi…
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本論文的研究重點在利用光子晶體以及平面光波導技術，設計與分析可用於光被動網路上之被動元件，主要研究分成下列各方面。 首先，利用矽材料上之週期性六角晶格的洞或柱，我們成功展現新穎的設計在雙波段解多工器…
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本論文主要探討利用垂直冷壁式有機金屬化學氣相沉積法(Cold-wall metal organic chemical vapor deposition; MOCVD)及自組反應式射頻磁控濺鍍系統(H…