檢索結果：共229筆資料 檢索策略： "Graphene".ekeyword (精準)
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本研究分成四部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG)，以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
2
氮化鎵擁有高能隙、高電子飽和速度及高崩潰電場等優越特性，成為第三代 高頻、高功率應用元件之寬能隙半導體熱門材料。然而高功率操作下，元件產生 高溫，傳統金屬電極特性衰退，致使元件性能產生熱退化問題。因…
3
第一部分：我們針對石墨烯量子點材料提出一個簡單且容易控制的製備方法，我們採用水熱合成法進行高品質與高量子產率的GQDs製備與合成，其藉由氨水來切割以氧化石墨烯為主體的前驅物進而合成出GQDs。而水熱…
4
氧化石墨烯片由石墨薄片合成藉由改良的Hummers法，氧化石墨稀分別與氮和硼混合，然後在180℃下水熱反應12小時。 熱差分析曲線表明，與rGO相比，NG，BG和BNG的碳分解溫度轉移到更高的溫度。…
5
近年來，石墨烯材料被大量地研究以及產品化，因為石墨烯本身具有優越的性質，如質量很輕、耐酸鹼、良好的導電與導熱的特性，可被用來發展在複合材料、生醫工程、電子元件、太陽能電池及感測器上等等，但石墨烯因為…
6
下世代微發光二極體(Micro LED)顯示技術為追求更高解析度，LED晶粒需大幅縮小，然而當晶粒尺寸微縮時，亮度也隨之降低，增加注入電流維持顯示所需足夠亮度為最快解決方法。目前LED使用之氧化銦…
7
本實驗係由微波電漿化學氣相層積法製備直立式石墨烯奈米牆，成長於可撓式碳布基材及奈米靜電紡絲所製奈米碳纖維，作為超級電容中的電極材料。透過製程氣體(矽烷、氫氣和甲烷)比例及時間調控，成功製備具有高比表…
8
近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
9
被動式太陽能除鹽（passive solar-powered desalination）程序因具有節省能源與環境友善等特點，已廣被注意。為求達到最佳的太陽能轉換效率，此程序中的太陽能吸收層應該要在物…
10
本文探討添加氧化石墨烯(GO)、低接枝密度之矽烷接枝氧化石墨烯(LD-sg-GO)、高接枝密度之矽烷接枝氧化石墨烯(HD-sg-GO)、熱脫層氧化石墨烯(TRGO)以及矽烷接枝之熱脫層氧化石墨烯(s…