檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "GaN-based".ekeyword (精準)
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓，利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一…
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本論文研究積體化氮化鎵發光二極體與光偵測器模組的電路設計與特性量測。量測本實驗室積體化製程製作的兩種光偵測器(p-i-n結構以及n-p-i-n結構光電晶體)的特性包括暗電流、外部量子效率、在不同偏壓…
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本論文首度以矽擴散電流阻擋層的結構實現了能在室溫(Room temperature, RT) 20°C (293K)的環境下，連續波(Continuous wave, CW)操作的氮化鎵垂直共振腔面…
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本論文根據學長所做的氮化鎵發光二極體的電流阻擋層結構，對擴散理論與實驗做了更深入的探討。藉由調整快速升溫退火爐不同的時間及溫度，而後由二次離子質譜儀(SIMS)分析得到不同溫度下的擴散係數，因而決定…
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本論文使用新型氮化鎵鋁材料系統蝕刻停止層(Etch-stop layer)結構，成功開發兩階段乾蝕刻製程來控制深蝕刻(>1μm)，對於單縱模操作的氮化鎵垂直共振腔面射型雷射(Vertical C…
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本研究乃針對藍光氮化鎵發光二極體元件的p型氮化鎵透明導電接觸層提出一取代材質及製程，考慮現在工業製程所使用的氧化銦錫薄膜中稀有元素銦的價昂，提案改使用同為透明導電氧化物的摻鎵氧化鋅來取代氧化銦錫。同…