檢索結果：共101筆資料 檢索策略： "GaN".ekeyword (精準)
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本論文研究主要是應用高溫爐法，以鎵金屬及氨氣做為鎵與氮的來源，於鍍金的矽基板上成長氮化鎵奈米線。在實驗參數設計上，則藉由控制基板的位置、鎵源的汽化溫度，來改變提供鎵源的量，同時由不同的反應氣體流量與…
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Generative Adversarial Networks (GAN) can be trained to learn the internal distribution of the imag…
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在RF射頻收發機中，頻率合成器的特性非常重要，內部包含了相位偵測器(PFD)、充電幫浦(CP)、迴路濾波器(LF)、壓控振盪器(VCO)、除頻器(FD)，而這其中又以壓控振盪器和注入鎖定除頻器特性為…
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近年來，氮化鎵(GaN)以被廣泛研究，跟矽比起來有優良的材料特性。此外，在氮化鎵鋁(AlGaN)與氮化鎵的異質接面處發現了高密度的電子，研究其原因是由於自發性極化效應(Spontaneous Pol…
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由於氮化鎵藍紫光垂直共振腔面射型雷射之晶圓片製作不易，容易造成低增益及高損耗的現象，因此本實驗採用不同於常見的氧化物侷限結構，利用矽擴散反轉p-GaN為n-GaN製作出擴散型侷限結構，藉此定義出電流…
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本論文利用三族氮化物中，具有紫外光至藍光吸收波段之氮化鎵材料研製光偵測器，可應用為紫外光或藍光感測器，並以GaN/InGaN多重量子井主動層結構製作PIN(p-intrinsic-n-type)光偵…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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在RF射頻收發機中，頻率合成器的特性非常重要，內部包含了相位偵測器(PFD)、充電幫浦(CP)、迴路濾波器(LF)、壓控振盪器(VCO)、除頻器(FD)，而這其中又以壓控振盪器和注入鎖定除頻器特…
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電動載具的發展隨著科技的進步，市場需求日益擴張，本論文 利用數位控制的方式實現三相三階馬達驅動器，並採用氮化鎵作為 功率級的開關，以達到高頻化，小型化的目的。並分析單位電流最 大轉矩控制 (Maxi…
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本論文旨在探討碘蒸氣輔助聚焦離子束蝕刻製備氧化鎵披覆氮化鎵奈米尖錐及其特性分析。實驗首先以射頻式濺鍍系統沉積純銀薄膜，接著經由熱氧化方式形成雙層遮罩結構，最後使用碘蒸氣輔助聚焦離子束蝕刻製備氧化鎵披…