檢索結果:共10筆資料 檢索策略: "Flip-chip".ekeyword (精準)
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覆晶封裝技術為藍光發光二極體之主流技術,本論文以藍寶石基板之氮化鎵材料為主,開發覆晶式發光二極體製程技術為目的,可大幅提升氮化鎵發光二極體輸出功率與效率。 覆晶發光二極體必須達到低電阻與高反…
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本研究使用熱超音波鍵合(Thermosonic bonding)技術,利用具高熱傳係數的金球(291W/m-K)將LED晶粒與子基板鍵合製作出覆晶式功率LED (Flip-Chip Power LE…
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中,散熱一直是影響發光效率的問題中必須解決的問題,而氮化鎵材料必須生長在藍寶石基板上使得成本降低。為了解決藍寶石基板散熱不佳以及改善…
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本論文研究的目的為利用覆晶技術製作雷射陣列模組之封裝製程。此封裝模組由V槽、錫球、矽基板及單模透鏡光纖所組成。在V槽陣列的均勻度上,精度大部分都可以控制在正負1m以內。而在錫球方面,我們將有害的錫…
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發光二極體LED(Light Emitting Diode)其用途及性能都極為廣泛,但可見光發光二極體主要是在藍寶石基板上磊晶,所以散熱一直是個問題。為了改善這個問題,我們利用覆晶封裝的技術,將氮化…
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發光二極體(Light Emitting Diode, LED)的壽命及性能較傳統光源優異許多,但是散熱的問題一直是影響發光二極體發光效率與壽命的關鍵原因之一。而氮化鎵材料為了降低生產成本,必須磊晶…
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本研究主要之目的是對覆晶(Flip chip)構裝製程上所使用之錫球凸塊高度進行高度重建,由於錫球凸塊的大小跟共面性對於封裝後電子元件之效能影響甚鉅,故對於錫球凸塊的形貌資訊是不可或缺的。 本研究應…
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本論文針對晶粒級覆晶式封裝白光LED進行最佳化分析,且根據不同封裝形式,提出八種可在製程上實現之封裝結構,並針對其內部螢光粉及矽膠結構與外部封裝尺寸進行優化,探討影響光萃取效率及空間色彩分佈之主要原…
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發光二極體(Light Emitting Diode;LED),為21世紀的新型光源,具高效率、壽命長以及不易破損等優點。在要求高品質與高效率的時代中,晶片封裝製程技術為影響LED 的品質與效能之關…