檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "Electrophoretic deposition".ekeyword (精準)
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本研究主旨為以低溫水熱法合成中低溫(500~700℃)Ce0.8Bi0.2-xMxO1.9(M=Sm、Er、Dy)SOFC電解質，以取代傳統YSZ( ytria stabled zirconia )…
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透明電極的品質將影響電致發光之發光效果，因此透明電極於電致發光元件中扮演非常重要的角色。目前大多以聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸（PEDOT：PSS）和奈米銀線（AgNWs）當作透明電極材料塗布於電致發…
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電極材料性質對電-芬頓系統處理效能產生顯著影響。本研究以成本低廉及良好導電性之低碳鋼(SPHC)電極，藉由電泳沉積(Electrophoretic Deposition, EPD)，進行製備SPHC…
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單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一，其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性，廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件，然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
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多年以來太陽能矽基板為重要之替代能源，但矽基板加工效率和耗能問題一直是綠能產業無法普及因素之一，本研究首次提出傳統固定磨料(Diamond Wire Sawing, DWS)結合游離磨料(Slurr…
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矽晶圓為製造半導體元件的關鍵基礎材料與太陽能製造用的矽基板不同的是，半導體用之矽晶圓經過線切割後，還需要經過蝕刻、拋光之加工，如何有效提供加工效率以及減少後續拋光製程之加工為本研究主要目的。本研究將…
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單晶碳化矽(SiC)為第三代半導體材料之一，其在材料特性上擁有許多項優點，如：「低漏電流特性、較高熱傳導率、耐化學性及寬能隙等」，而其高硬度及耐化學性質造成碳化矽基板製造困難，且在複線式鑽石線鋸…
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單晶矽晶圓為半導體的重要元件，近年來，電子產品被大量使用而導致矽晶圓供不應求，而如何有效率增加矽晶圓的產量是一直以來關切的議題。本研究將延續先前電泳反應式鑽石線鋸製程，並研發一款選擇性電泳沉積(Se…
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本論文主旨在以不同方法改善單氣室固態氧化物燃料電池之陰、陽兩極。在改善陰極方面，以不同比例及粒徑的 Sm0.5Sr0.5CoO3 (SSC) / Sm0.2Ce0.8O1.9 (SDC) 粉末，來製…
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