檢索結果：共15筆資料 檢索策略： "Diamond wire sawing".ekeyword (精準)
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切片製程為現今半導體產業前段製程之一，其主要加工方式為鑽石線切割為主，在加工過程當中，須以大量切削液來降低切削區溫度，並使切屑能順利排出，但這大量的切削液卻給環境大來莫大影響，不只回收困難，且工人如…
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半導體晶圓製造往往會遇到品質提升與成本降低的挑戰，晶片通過一系列的製造處理，包括晶體生長，切片，壓扁和清潔，線鋸加工是應用於晶片基板製造的主要切片工具。游離磨料線鋸加工為起先在半導體行業中使用之切片…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料，具有更明顯的優勢，如具有高崩潰電壓及低的阻抗，在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目，但也…
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單晶藍寶石(Sapphire)是一種高透光性、耐高溫且高硬度的化合物半導體材料，然而也因單晶藍寶石之高硬度和化學穩定性，目前此類晶圓基板的生產大多以鑽石線鋸(Diamond Wire Sawing,…
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近年來工業4.0逐漸應用於半導體領域，隨著GPU、CPU兩者的普及化使得深度學習爆炸性的成長，身為關鍵半導體製造基礎材料，矽晶圓切片製程參數對於減少後續研、拋成本，顯得格外重要，鑽石線鋸為目前矽晶圓…
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固定式磨料或鑽石線鋸切割技術（DWS）隨著技術的進步已逐漸被開發為游離磨料線鋸切削（SWS）的潛在替代品，可用於對硬質和脆性材料進行切片。儘管此技術有許多優點，DWS工藝仍會在切割表面上造成粗糙度、…
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單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一，其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性，廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件，然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
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鉭酸鋰晶圓(Lithium Tantalate, LT)於材料上具有獨特優異的焦電(Pyroelectric)、壓電(Piezoelectricity)和電光(Electro-optic)等特性，此…
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多年以來太陽能矽基板為重要之替代能源，但矽基板加工效率和耗能問題一直是綠能產業無法普及因素之一，本研究首次提出傳統固定磨料(Diamond Wire Sawing, DWS)結合游離磨料(Slurr…
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單晶碳化矽(SiC)為第三代半導體材料之一，其在材料特性上擁有許多項優點，如：「低漏電流特性、較高熱傳導率、耐化學性及寬能隙等」，而其高硬度及耐化學性質造成碳化矽基板製造困難，且在複線式鑽石線鋸…