檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "Cu CMP".ekeyword (精準)
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本研究目的主要在進行後段導線製程 (Back End of Line, BEOL)中,銅導線的化學機械拋光之化學能與機械能佔比分析。由銅膜晶圓、鉭膜晶圓之化學機械拋光製程實驗,藉由集合式電錶即時觀測…
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化學機械拋光是半導體製程中可達到全域性平坦化的一項重要技術,但是化學機械研磨應用於銅導線與以Low-k材料為主的介電層之多層導線架構平坦化製程時,易造成殘留應力、刮痕與平坦化後後續清洗等都是需要克服…
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隨著半導體元件金屬導線製程不斷微細化追求更高解析度的技術。化學機械拋光平坦化(Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)不斷面臨許多挑戰。CM…