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本篇論文研究以Al作為上下電極，使用ZrO2以及NiO作為主要之中間層，製備 電阻式記憶體元件，並透過調節ZrO2與NiO之比例以及鍍膜時氧氣之通量來改善元 件之性質。 當元件之介電層使用ZrO2時…
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本論文以濺鍍及共濺鍍沉積的方式製作Cu/Cu-SiO2/TaN，TaN/Cu-SiO2/TaN三層結構，經由電性量測結果可知上述兩種元件皆有電阻切換的性質。電極材料皆為TaN的元件在連續操作100次…
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本論文研究以Cu-CeO2-YSZ與Ni-CeO2-YSZ兩種不同材料系統作為固態氧化物燃料電池的陽極材料，分別利用磁控式共濺鍍系統製備CuO-CeO2-YSZ薄膜與NiO-CeO2-YSZ薄膜，再…
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本論文分為兩個部分，第一部分目的在探討使用共濺鍍氣相沉積法製備碳化矽薄膜。不同於高溫(1600℃)化學氣相沉積法製備碳化矽薄膜，本研究之重點在於利用矽合金靶材和碳靶在相對低溫的下以不同射頻電漿製程參…
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本研究利用磁控式共濺鍍系統沉積NiO-YSZ薄膜，並利用不同還原條件以形成具有奈米孔隙之Ni-YSZ陽極結構，用於固態氧化物燃料電池用來增加三相介面比例，降低反應極化電阻。 利用不同Ar與O2比…
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本研究以磁控濺鍍之方式，製作氧化白金(Oxide Platinum)、純白金(Pure Platinum) 以及共濺鍍Pt + YSZ 等三種不同電極於多孔性陽極氧化鋁(anodic aluminu…
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本研究聚焦以 α-氮化碳 (Alpha carbon nitride, α-C3N4) 作為介電層，應用於雙極電阻式記憶體 (Bipolar Resistive Random Access …