檢索結果：共13筆資料 檢索策略： "Buffer layer".ekeyword (精準)
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本研究係利用射頻磁控濺鍍，沉積氧化鋅鋁(ZnO:Al/AlZnO，AZO)透明導電膜於玻璃基板，探討不同ZnO緩衝層鍍膜參數(如射頻功率、濺鍍壓力、氧化鋅緩衝層膜厚、退火溫度)對AZO薄膜的結構、表…
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本研究利用CO2低溫雷射退火製程，將鋯鈦酸鉛(PZT)鐵電薄膜與錳酸鍶鑭(LSMO)氧化物電極鍍製於316型不鏽鋼線與薄板基板上，以改善傳統爐內退火常導致線狀或薄板型鐵電元件產生界面擴散與氧化等問題…
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本篇論文呈現了氮化鋁緩衝層結構之於石墨烯/藍寶石基板上製備高品質氮化鎵薄膜的重要性。本文使用低壓化學氣相沉積法（LPCVD）在在藍寶石基板上成長石墨烯。首先會在兩吋藍寶石基板上蒸鍍一層銅膜以便於獲取…
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首先，我們合成了一個名為ECPblack的新型共軛高分子。 ECPblack在大部分可見光區域顯示出超高對比度（超過80%）的電致變色特性，在380至880奈米波長下顯示出71.8%的積分對比度。 …
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In this study, top gate solution processed indium gallium zinc oxide (IGZO) thin film transistor is…
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本論文使用兩個連續程序，在配備即場式X射線光電子能譜儀（XPS）和反射式高能電子衍射儀（RHEED）的超高真空化學氣相沉積（UHV-CVD）系統中，進行矽晶片（Si(111)）的表面碳化和 SiC …
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本論文中以一種新穎的方法探討氟在低溫複晶矽薄膜電晶體中，驅入的容易度，以及對元件特性改善的效果；並對先前的技術做比較。 我們提出的方法是，使用CF4電漿來對元件的Buffer Layer做處…
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碳化矽是一個具有良好物理、機械和電子特性的寬能隙材料，使其成為下一個世代中高功率元件的替代材料。在過去大家對於矽基板上磊晶成長碳化矽有很大的興趣，因為其具有低成本以及大面積的優勢，另一方面將矽表面進…
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近年來，為解決鋰離子電池相關安全問題的需求而推動了全固態電池的發展。以硫化物固態電解質組成的全固態電池，因具有高能量密度及高安全性的特性。被視為極具發展性的鋰離子電池之一。在各種固態電解質中，又以L…
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本研究採用連續離子層吸附反應法（Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR）於TiO2表面沉積不同類型的量子點，探討量子點異質結構間的…