檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "陳順同".ccommittee (精準)
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近年來隨著科技的發展快速，現今半導體科技產業高度自動化外，晶圓加工之線鋸機用線材之複捲裝置需求正方興未艾，傳統產業中的紡織產業自動化也在其專業領域上精進不少，不論是在各式的織造法下，其生產製造過程中…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)，具有高崩潰電壓(High Breakdown Voltage)及低的阻抗, 因此在高功率元件市場的潛力無窮，但單晶碳化矽基板也因高硬度及高…
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目前太陽能電池製程前端所使用之結晶矽基板，主要以複線式線鋸加工技術(Multi Wire Sawing)進行矽晶錠切片(Slicing)，其中游離磨料線鋸受到切割高硬脆材料效率不佳、漿料會對環境汙染…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料，具有更明顯的優勢，如具有高崩潰電壓及低的阻抗，在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目，但也…
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半導體製造規格不斷的縮小、以及堆疊層數增加的情況下，使得化學機械拋光製程(Chemical Mechanical Polishing, CMP)對臨界尺寸控制需更加要求，因此在製程終點控制面臨重大挑…
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在化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/ Polishing, CMP)製程中，需要鑽石修整器來維持拋光墊表面之穩定性，而拋光墊表面形貌會直接影響…
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澳洲聯邦科學暨工業研究院與德國聯邦物理技術研究院使用 Cup-type球拋機搭配氧化鋁磨料研光和粗拋與酸性的二氧化鈦拋光液精拋製出單晶矽晶球，並在2019 成為最新的國際質量原器。本研究自行設計四旋…
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況，因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除，維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…
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矽晶圓為製造半導體元件的關鍵基礎材料與太陽能製造用的矽基板不同的是，半導體用之矽晶圓經過線切割後，還需要經過蝕刻、拋光之加工，如何有效提供加工效率以及減少後續拋光製程之加工為本研究主要目的。本研究將…
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單晶矽晶圓為半導體的重要元件，近年來，電子產品被大量使用而導致矽晶圓供不應求，而如何有效率增加矽晶圓的產量是一直以來關切的議題。本研究將延續先前電泳反應式鑽石線鋸製程，並研發一款選擇性電泳沉積(Se…