檢索結果:共7筆資料 檢索策略: "鄭裕隆".ccommittee (精準)
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化學機械平坦化(Chemical Mechanical Polishing, CMP)因能夠快速移除材料且可達全面平坦化,故常用於半導體製程,而於LED基板產業,因使用與氮化鎵(GaN)晶格匹配的藍…
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單晶碳化矽因材料特性上擁有多項優點,於功率元件市場中備受重視,然而其高硬度及耐化學性質造成基板製造之困難,本研究分別從磨料移除材料和線網運動觀點分析複線式鑽石線鋸加工製程(Multi-wire di…
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拋光墊的物性和表面性質會強烈的影響到平坦化加工的效果和效率。除了物性和表面性質外,拋光墊的溝槽設計亦是重要的一環。良好的溝槽圖案具有增進拋光液的利用率、調整拋光液層、排除平坦化後的殘餘物和調整拋光墊…
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隨著地球資源日益減少,替代能源的開發越顯重要,太陽能電池即為目前替代能源研發重點之一,其中矽基太陽能電池所使用材料即為由複線式線鋸切割製程(multi-wire sawing process)所生產…
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本研究主要是將化學機械拋光(Chemical Mechanical Planarization Process,CMP)拋光墊(Pad)與晶圓接觸之拋光墊粗度峰(Asperity)的彈性變形,由聚氨…
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化學機械拋光是半導體製程中可達到全域性平坦化的一項重要技術,但是化學機械研磨應用於銅導線與以Low-k材料為主的介電層之多層導線架構平坦化製程時,易造成殘留應力、刮痕與平坦化後後續清洗等都是需要克服…
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化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/Polishing, CMP)製程在半導體製程中對於積體電路的製造品質有著舉足輕重的影響,將鑽石修整技術應用…