檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "蔡明義".ccommittee (精準)
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單晶碳化矽(SiC)為第三代半導體材料之一，其在材料特性上擁有許多項優點，如：「低漏電流特性、較高熱傳導率、耐化學性及寬能隙等」，而其高硬度及耐化學性質造成碳化矽基板製造困難，且在複線式鑽石線鋸…
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本研究為探討搖臂式修整後拋光墊接觸面積對於CMP的影響，首先建立量測接觸面積之方法，接著探討修整與接觸面積之間的關係，利用拋光墊的粗糙度、承載面積比與接觸面積進行相關性分析，因為粗糙度與承載面積比經…
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本研究目的為探討二氧化矽顆粒於化學機械研磨/平坦化(CMP)製程中的加工機制。研究方法是將直徑為800奈米的二氧化矽顆粒黏著於探針尖端，形成顆粒式探針(tip-grit)，與運用封閉式回饋控制系統原…