檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "絕緣閘極雙極性電晶體".ckeyword (精準)
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近幾年以來，由於通訊產品和平面顯示器的推陳出新，使得功率元件的需求量大幅地增加。為了順應電路積體化的潮流，而將功率元件與低壓電路整合在同一晶片上，因此傳統垂直式的絕緣閘極雙極性電晶體元件結構必須改成…
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相較於功率金屬氧化物半導體場效電晶體與功率穿隧型場效電晶體，功率橫向絕緣閘極雙極性電晶體已經被提出在同樣耐壓下擁有較低的導通阻抗。原因為藉由穿隧電流導通元件的PN接面(P+-anode/n-drif…
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本論文主要研究功率半導體元件，而理想的元件有低導通阻抗、高耐壓的特性；傳統的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(power MOSFET)在高耐壓的時候有導通電阻過大的問題，因此不適合作為高耐壓元件，而…
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此篇論文提出了以無接面金氧半場效電晶體觸發之功率橫向絕緣閘極雙極性電晶體。傳統的絕緣閘極雙極性電晶體中，藉由導通元件的PN二極體，進而有效的降低漂移區的串聯電阻，即為傳導調變效應。但這種功率元件…
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近年來，由於電子產品以及電力交通工具的蓬勃發展，使得功率積體電路的應用越來越廣。絕緣閘極雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)同時具有高電流與高…
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近幾年以來，由於通訊產品和平面顯示器的推陳出新，使得功率元件的需求量大幅增加。為了順應電路積體化的潮流，將功率元件與低壓電路整合在同一晶片上，傳統垂直式的絕緣閘極雙極性電晶體元件結構必須改成橫向式的…
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本論文主要研究功率半導體元件，而做為開關器使用之功率半導體元件，理想上的導通狀態為短路，並且在截止狀態為開路；在市面上像是傳統的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)在耐高電壓時有過大的串聯…