檢索結果：共25筆資料 檢索策略： "矽基板".ckeyword (精準)
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碳化矽是一種具有優異電子特性和高熱穩定性的半導體材料，4H導電型碳化矽基板作為高功率半導體元件製造中的最常用也最重要的材料，其中晶體缺陷對對後續元件的品質有很大的影響，輕則元件效率降低重則元件失效，…
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4H碳化矽基板作為高功率半導體重要材料，表面的缺陷對後續元件品質有很大的影響，本研究探討基板材料中的碳包裹物缺陷對磊晶後的表面缺陷有何影響。材料選用6吋N-Type晶圓，在表面以微分干涉影像與光致發…
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由於希望未來可以將光電元件與電子元件積體化，而製作電子元件時大部分的基板是矽，近年氮化鎵晶圓廠商開始商品化氮化鎵磊晶在矽基板(GaN-on-Si)。此研究是本實驗室第一次製作與量測綠光共振腔發光二極…
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隨著國際石油價格提高，永續性替代能源與製造成為研究主要方向，以矽(Si)為材料的太陽能基板主要由複線式線鋸切割技術(multi-wire sawing)進行切削。本研究主目的為建立線鋸分析程式(Wi…
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近年來，隨著地球能源日漸枯竭，可不斷使用再生能源越來越受到重視，其中，太陽能為最受到重視之再生能源之一，於目前所有太陽能電池種類中，矽晶基板太陽能電池所使用之單、多晶矽基板主要運用複線式線鋸切削製程…
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本文利用比下壓能觀念，建立兩種最佳化之逐步逼近到預定之奈米流道梯形凹槽深度之目標收斂函數的最少切削道次之估算方法。第一種為三切削道次偏移循環加工方法，每一切削道次皆為固定下壓力進行加工，進而估算出達…
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氮化鎵被認為是繼矽之後最重要半導體材料，目前主要是以磊晶的方式成長於藍寶石或碳化矽基板，並已廣泛應用於高功率藍白光LED的量產。將氮化鎵磊晶於矽基板上將是未來的新趨勢，近期並將應用於高電子移動速度電…
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本文創新提出假設不同軸向比下壓能的值約為相同之定值的概念，依據不同軸向的比下壓能理論模式,以及已知奈米級加工深度及刀具形狀,推導出估算奈米級加工單晶矽工件V型溝槽的下壓力及切削力的理論公式。本文先進…
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本文應用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy ,AFM)加工單晶矽基板之奈米流道凹槽本文創新提出以比下壓能之觀念建立在單晶矽基板加工不同形狀奈米流道之兩種加工方法。本文提出的…
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