檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "異質接合".ckeyword (精準)
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本論文乃以未來世代高效率矽晶太陽能電池的技術發展為議題，針對鍺晶製作可能的鍺晶異質接合，分別探討鍺晶表面的清洗以及利用氫化非晶矽薄膜層作為鈍化層的效應。 我們發現以傳統矽晶RCA的清洗程序未能通用…
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本論文乃以發展高效率矽鍺複合晶片太陽能電池製作技術為主題，考量矽晶材料所無法吸收的紅外光波波段，在矽晶之背面串聯鍺晶來吸收此波段能量，最終模式希望製作成的矽晶/鍺晶之異質接合太陽電池，以求達…
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本研究第一部分實驗係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技術，作為矽晶異質接合太陽電池背電場製作的應用。以此技術製備p型膜層的實驗結果顯示，非晶矽層與濺鍍鋁層接觸並經200℃熱處理1小…
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異質接合太陽電池的高開路電壓特性取決於是否有良好的鈍化層，本論文研究以射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備本質氫化非晶氧化矽薄膜用於鈍化n型單晶矽基材，研究重點為探討本質氫化非晶氧化…
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本論文乃以未來世代高效率矽晶太陽能電池的技術發展為議題，針對矽晶太陽能電池製作可能的矽晶異質接合，依據實驗室既有的以本質氫化非晶矽為鈍化層的矽晶異質接合太陽能電池η = 19.6 %、Voc = 6…
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本論文的主題為以射頻電漿輔助化學氣相沉積法製作非晶矽薄膜應用於異質接合太陽能電池之研究，第一部分的實驗中，我們先建立出優良的矽晶片清洗程序，接著再於清洗後的矽晶片雙面沉積本質層非晶矽薄膜，以評估此薄…
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本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術，作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示，沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …
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本論文針對鍺晶低能隙的特性，開發以鍺晶為基板之鍺晶異質接合太陽能電池，研究重點在比較射頻電漿輔助化學氣相沉積氫化非晶矽以及氫化非晶鍺薄膜來鈍化矽晶或鍺晶表面之效果。實驗以反射式高能電子繞射儀觀察非晶…
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本研究係以超高頻電漿輔助化學氣相沉積系統(VHF-PECVD)製備本質氫化非晶矽膜層用於鈍化單晶矽基材，研究重點之一為與射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備氫化非晶矽膜層來作比較外，…
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本論文主要探討如何藉由擴散阻隔層的加入適時阻擋低溫下鋁擴散進入非晶矽/單晶矽異質接合界面，以求得p型背電場形成之同時亦保有高異質接合鈍化效果之目的。我們選用兩種擴散阻隔層:第一種是以5奈米厚的氧化銦…