檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "王秋燕".ccommittee (精準)
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本研究分成四部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG)，以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
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本研究將Cu-Ge二元過共晶合金利用陽極氧化鋁(AAO)輔助模板真空液壓鑄造法，可以獲得Cu3Ge/Ge兩種材料順序相接且界面清晰的Cu-Ge合金奈米線異質結構。第一步使用高純度鋁片(99.999％…
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本研究是將銻化銦塊材利用陽極氧化鋁模板(AAO)輔助真空液壓鑄造法製作一維結構奈米線，獲得奈米線與共聚物混和，應用於製備成有機場效電晶體(OFET)記憶體電荷儲存層。主要探討二個方向：(1)銻化銦塊…
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本篇論文對矽鍺晶片之多重接面太陽能電池之探討，使用鈀奈米粒子做接合層，以進行退火壓合，使兩晶片完成接合。我們利用團聯式共聚物，均勻塗佈於晶片表面，並令其吸附含鈀溶液，成長鈀奈米粒子，再經氫器/氬氣電…
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本研究分為兩階段，第一階段以Cu(B)薄膜作為硼源，以化學氣相沉積法製備硼摻雜石墨烯，並以純石墨烯做為比較，探討其性質差異。由拉曼光譜、UV-vis光譜、XPS能譜分析其材料特性。於拉曼光譜可以觀察…
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本研究以Ti、TiN與ITO作為互補式電阻式記憶體之電極，堆疊三層電極形成ITO/Ti/ITO與ITO/TiN/ITO，並藉由Ti金屬薄膜與ITO薄膜結合時兩者不相同之氧化勢形成氧化界面層TiOx，…
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本論文針對鍺晶低能隙的特性，開發以鍺晶為基板之鍺晶異質接合太陽能電池，研究重點在比較射頻電漿輔助化學氣相沉積氫化非晶矽以及氫化非晶鍺薄膜來鈍化矽晶或鍺晶表面之效果。實驗以反射式高能電子繞射儀觀察非晶…
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本研究以金屬鈦(Titanium, Ti)為上下電極，氧化亞銅(Cuprous oxide, Cu2O)為介電層，利用磁控濺鍍將薄膜沉積於玻璃基材上，並製作出不同中間層厚度之Ti/Cu2O/Ti三層…
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本研究以Ti及ITO作為電阻式記憶體之電極，並藉由Ti金屬之高氧化勢而自身氧化成TiOx電阻層，因此可在無需額外濺鍍電阻層下製成Ti/ITO與ITO/Ti之電阻式記憶體。 TiN/Ti/TiOx/I…
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本研究分為兩部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物以化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯，並以石墨烯作為比較，探討其性質是否不同。我們以拉曼光譜、TEM、XPS、UV-Vis分析其材料特性，在拉曼光譜中的分…