檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "楊棋銘".ccommittee (精準)
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晶圓經過化學機械拋光(CMP)製程後，晶圓表面通常殘留大量拋光液中之磨料、金屬離子及其他污染物，若無有效去除CMP製程後之殘留污染物以及拋光所產生之表面損傷，則將影響後續薄膜沈積、微影等製程之良率，…
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CMP(Chemical-Mechanical Planarization)為化學機械平坦化製程被應用於IC製造。在半導體線寬縮減的迫切需求下，穩定性和可用性於CMP製程已成為非常重要的課題。然而目…
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半導體為世上重大發明且與現代生活密不可分，隨著世代的進化變遷，不斷的追求微細化及線路層層堆疊而對於晶片的考驗也越來越嚴苛，全域平坦化表面將成為相當重要得關鍵技術。化學機械拋光/平坦化(Chemica…
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料，因此在高功率元件市場上有較大之需求，然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質，使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
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自遠古時期的銅鏡、玉石、珠寶的研磨拋光到目前次奈米等級的半導體晶圓鏡面拋光，機械式拋光有其一定程度之極限，因此化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)是目…
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化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)已成為積體電路製程之關鍵技術，其中拋光墊(Polishing Pad)在整個CMP製程中扮演相當重要的角…
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隨著半導體產業發展，三維堆疊積體電路(3DS-IC)為突破莫爾定律的關鍵技術之一，其透過中介層(Interposer)之使用進行異質元件間三維堆疊接合。目前中介層主要為矽穿孔(Through-Sil…
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本研究透過自行開發與改良的彩色共軛焦量測系統進行修整製程中，拋光墊表面形貌的量測；此外透過拋光墊修整軌跡模擬軟體，評估拋光墊之修整均勻性。實驗方法為固定修整器轉速15, 40, 65rpm對於拋光盤…
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本研究主要為研發線上拋光墊監測系統，透過彩色共軛焦量測系統架設應用於旋轉式拋光機台，利用拋光盤面的旋轉運動以及搖臂的搖擺旋轉運動，搭配彩色共軛焦系統擷取高度資訊，進行線上監測之拋光墊表面形貌的掃描及…
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本研究主要為設計雙向交錯式電極，研發新一代電致動力輔助化學平坦化(Electro-Kinetic Force Chemical Mechanical Plolishing, EKF-CMP)系統，應…