檢索結果：共20筆資料 檢索策略： "有機金屬化學氣相沉積".ckeyword (精準)
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本研究之目的為合成CuII(OCHMeCH2NEt2)2先驅物，並且利用此先驅物以化學氣相沈積的方法成長銅薄膜，藉由調整沈積溫度及沈積時間，探討成長出高純度且具有良好之平坦度、緻密性、連續性及低電阻…
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本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式，以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)為原料，分別使用鍍上金觸媒的Si(111)、Ge奈米線及ZnO奈米柱為基材來沈積氮化鎵。在鍍上1 nm厚度金觸媒於Si(11…
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關鍵字；氮化銦鎵、奈米線、有機金屬化學氣相沉積 本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物－二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)，同時以分解溫度較低之鎵源－三乙基鎵(TEGa)…
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在我們改良有機金屬化學氣相沉積系統的氧氣環和噴頭後，得到的二氧化銥結果有明顯的改善了均勻性和再現性，並且已成功在SA(100)和SA(012)基板上使用兩種不同的前驅物(C6H7)(C8H12)Ir…
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本研究以先驅物(hfac)CuI(COD)在不同的TaNx阻障層上，利用化學氣相沉積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)進行沉積銅晶種層(Seed l…
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本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式，以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)分別為其鎵源和氮源合成氮化鎵結構。在一維結構方面，使用鍍上金觸媒的Si(100)、藍寶石單晶及氮化鎵單晶為基材來沈積氮化鎵。…
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本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物－二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)作為氮源先驅物，同時以分解溫度較低之鎵源－三乙基鎵(TEGa)，來成長氮化鎵奈米線，期望以TEGa…
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使用[(CH3CH2)C5H4]2Ru當前驅物，於冷壁式有機金屬化學氣相沉積系統中成長二氧化釕奈米結構，其沉積在不同平面之基板上有不同的成長方向。使用場發射掃描式電子顯微鏡、X光繞射譜線，對二氧化釕…
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利用垂直流冷壁式的有激金屬化學汽相沈積法，我們已成功地在不同基板上成長出二氧化銥一維奈米晶體（包含奈米柱與奈米管）與薄膜。同時也藉由場發射掃瞄式電子顯微術(FESEM)、X光繞射術(XRD)與拉曼散…
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本研究主要提出一種新穎的二階段化學氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)成長銅晶種層(Seed layer)於氮化鉭(TaNx)阻障層薄膜的應用之…