檢索結果:共6筆資料 檢索策略: "拋光墊性能".ckeyword (精準)
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本研究 之目的 為 研發線上量測軟拋墊之 磨耗率 (Pad Wearing Rate, PWR)與 性能指標應用於化學機械拋光之製程 透過 先前 開 發之動態量測 拋光墊性能指標系統 以 自行研發 …
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本研究目的主要在進行後段導線製程 (Back End of Line, BEOL)中,銅導線的化學機械拋光之化學能與機械能佔比分析。由銅膜晶圓、鉭膜晶圓之化學機械拋光製程實驗,藉由集合式電錶即時觀測…
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本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統,透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上,利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描,利用自製軟體分析其表面訊號,計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
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本研究主要為研發線上拋光墊監測系統,透過彩色共軛焦量測系統架設應用於旋轉式拋光機台,利用拋光盤面的旋轉運動以及搖臂的搖擺旋轉運動,搭配彩色共軛焦系統擷取高度資訊,進行線上監測之拋光墊表面形貌的掃描及…
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化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)目前已被廣泛應用於IC產業中,隨著近年來半導體線寬不斷縮減,CMP製程之穩定性與重現性不斷面臨挑戰。而在…
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CMP(Chemical-Mechanical Planarization)為化學機械平坦化製程被應用於IC製造。在半導體線寬縮減的迫切需求下,穩定性和可用性於CMP製程已成為非常重要的課題。然而目…