檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "微晶矽".ckeyword (精準)
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微晶矽薄膜電晶體近來已被廣泛的研究，其擁有可大面積低溫成長的優點，且元件特性又優於非晶矽薄膜電晶體，例如，較高的電子移動率及較低的能帶間隙，普遍被認為將來可以取代非晶矽薄膜電晶體在大尺寸液晶顯示器上…
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於本論文中，我們探討不同交流訊號參數之非晶矽薄膜電晶體 (amorphous silicon thin film transistors) 在閘極 (gate) 交流與汲極 (drain) 交流電壓…
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本論文以平板式電漿輔助化學氣相沉積系統為基礎，分為兩部分：第一部份為成長低介電係數薄膜，實驗採用一矽烷偶合劑γ-glycidoxypropyl-trimethoxysilane(γ-GPS)及辛氟甲…
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本研究使用超高頻電漿化學氣相沉積系統來製備微晶矽薄膜，同時利用放射光譜儀來觀測電漿中成分的變化，並將放射光譜儀的量測結果和薄膜的結構特性做比較。並藉由調整電漿功率、反應總壓、上下電極間距、氫氣稀釋比…
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本研究是採用射頻磁控濺鍍法於康寧玻璃型號1737 基板沉積微晶矽鍺薄膜，使用的靶材為鍺錠貼附於矽靶上並控制鍺元素原子比20 % 來共鍍沉積，在沉積過程中加熱基板至150oC，並控制不同的氫氣與氬氣的…
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本研究以三甲基硼(TMB)為摻雜物，使用射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)於玻璃基材上成長p型非晶碳化矽以及p型微晶矽薄膜，並分析其結構及光電性質，期望能製備出適用於薄膜太陽能電池的p…
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本研究係以超高頻電漿輔助化學氣相沉積系統(VHF-PECVD)製備本質氫化非晶矽膜層用於鈍化單晶矽基材，研究重點之一為與射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備氫化非晶矽膜層來作比較外，…