檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "康來成".ccommittee (精準)
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
近年來由於環保意識抬頭，可達節能減碳目的之LED照明因此快速發展，做為LED照明鍍膜基板的單晶藍寶石晶圓也因此受到重視及探討。然而，單晶藍寶石晶圓為硬度相當高(莫氏硬度9)之硬脆材料，其平坦化之加工…
2
三維堆疊積體電路(3DS-IC)被認為是一項突破摩爾定律關鍵技術，由矽導孔晶圓(TSV)及玻璃導孔晶圓(TGV)作為中介層(Interposer)材料進行三維異質元件堆疊，TGV所需使用的無鹼玻璃基…
3
單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)在功率元件市場的潛力極大，但單晶碳化矽基板因高硬度及抗化學性等特質，造成製造過程面臨加工時間冗長等問題。本研究主要研究4H單晶碳化矽基板的研…
4
化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)因具有快速移除材料且可達全面性平坦化之需求而成為近來半導體製程中最受矚目的平坦化技術，但隨著圖型尺寸逐漸微小化以及…
5
隨著半導體產業發展，三維堆疊積體電路(3DS-IC)是一項突破莫爾定律的關鍵技術，由矽導微孔(Through-Silicon-Via, TSV)晶圓可作為中介層(Interposer)進行異質元件間…
6
半導體製程中昂貴複雜及無可取代之製程-化學機械拋光/平坦化(Chemical Mechanical Plolishing/Planarization, CMP)，因具可有效地解決銅導線化及特徵尺寸進…
7
單晶碳化矽因材料特性上擁有多項優點，於功率元件市場中備受重視，然而其高硬度及耐化學性質造成基板製造之困難，本研究分別從磨料移除材料和線網運動觀點分析複線式鑽石線鋸加工製程(Multi-wire di…
8
化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)目前已被廣泛應用於IC產業中，隨著近年來半導體線寬不斷縮減，CMP製程之穩定性與重現性不斷面臨挑戰。而在…