檢索結果:共27筆資料 檢索策略: "化學機械平坦化".ckeyword (精準)
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本研究主要是將化學機械拋光(Chemical Mechanical Planarization Process,CMP)拋光墊(Pad)與晶圓接觸之拋光墊粗度峰(Asperity)的彈性變形,由聚氨…
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隨著科技日新月異地進步,從今日的12吋晶圓至未來即將進入的新世代18吋晶圓,半導體產品已成為人類的生活不可或缺之必需品,並隨著曝光微影的線寬持續降低,化學機械平坦化已成為半導體製程中關鍵的技術。而製…
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化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)已成為積體電路製程之關鍵技術,其中拋光墊(Polishing Pad)在整個CMP製程中扮演相當重要的角…
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在化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/ Polishing, CMP)製程中,需要鑽石修整器來維持拋光墊表面之穩定性,而拋光墊表面形貌會直接影響…
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化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/Polishing, CMP)製程在半導體製程中對於積體電路的製造品質有著舉足輕重的影響,將鑽石修整技術應用…
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拋光墊的物性和表面性質會強烈的影響到平坦化加工的效果和效率。除了物性和表面性質外,拋光墊的溝槽設計亦是重要的一環。良好的溝槽圖案具有增進拋光液的利用率、調整拋光液層、排除平坦化後的殘餘物和調整拋光墊…
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本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統,透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上,利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描,利用自製軟體分析其表面訊號,計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
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在化學機械平坦化 (Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)的製程當中,鑽石修整製通常用來修整拋光墊表面形貌以及維持工作能力,以確保製程中的…
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本研究主要為結合超臨界微細發泡射出成形技術(Microcellular Injection Molding, MIM)與化學機械平坦化製程(Chemical Mechanical Planariza…
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半導體製程中昂貴複雜及無可取代之製程-化學機械拋光/平坦化(Chemical Mechanical Plolishing/Planarization, CMP),因具可有效地解決銅導線化及特徵尺寸進…