檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "保留錯誤".ckeyword (精準)
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
由於快閃記憶體具有有限的P/E cycles，因此超過快閃記憶體單位限制的P/E cycles後會出現嚴重的可靠性問題，主要原因是快閃記憶體單元中的寫穿(wear-out)現象，受到該現象的影響下，…
2
由於快閃記憶體具有有限的P/E cycles，因此超過快閃記憶體單位限制的P/E cycles後會出現嚴重的可靠性問題，資料只能在有限的時間（即保留時間）或有限的讀取周期內安全地儲存。隨著資料的保留…
3
由於快閃記憶體具有有限的編程/抹除次數(P/E cycles)限制，通常在超過該上限次數後，逐漸不堪使用，而其核心原因來自於快閃記憶體單元內的寫穿(wear-out)現象，在此現象的影響下，任何資料…
4
如今，3D TLC快閃記憶體以其高容量和低成本成為了主流存儲介質。 但是，3D TLC快閃記憶體存在一些可靠性問題，例如保留錯誤和讀取乾擾錯誤， 這些問題可能會隨著時間的推移而累積並超過ECC(糾錯…
5
None
6
隨著閃存存儲密度的顯著增加，可靠性問題也變得越來越嚴重。 刷新機制是確保數據完整性的簡單有效的方法。 該操作定期讀取閃存中的數據，通過ECC引擎糾正其錯誤，然後將無錯誤的數據重寫到空閒空間，以防止數…
7
干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加，氧化層變薄。 因此，存儲在電池中的電荷變得更容易丟失，這將導致Vth發生負向偏移。 同時，由於FN隧道…
8
動態隨機存取記憶體 (Dynamic Random Access Memory, DRAM) 中細胞 (Cell) 資料暫存時間 (Data Retention Time) 主宰著整個記憶體的刷新 …