檢索結果：共7筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="氮化銦鎵"
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近年來，隨著能源危機的出現，許多研究者也紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池的相關研究。在此領域之中，時常會使用硫化鎘以及氧化鋅作為太陽能電池的n型半導體層，然而，硫化鎘本身含有毒性，因此本實驗要利用G…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本研究中，利用電漿輔助式分子束磊晶系統在矽基板上成長氮化鎵奈米柱及氮化銦鎵薄膜結構，並將其運用在光電化學產氫的研究上。首先在氮化鎵奈米柱部份，成長不同長度的奈米柱(長度大約在120~720nm、直徑…
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關鍵字；氮化銦鎵、奈米線、有機金屬化學氣相沉積 本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物－二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)，同時以分解溫度較低之鎵源－三乙基鎵(TEGa)…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖案化藍寶石基板的晶圓，以表面結構化處理的技術研製p-i-n光偵測器，我們製作兩種不同材料的表面結構處理，分別為：(1)ITO表面粗糙化；以及(…
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV （GaN）調變至0.7eV （InN），其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜，所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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本研究利用原子層磊晶(ALE)技術合成氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InxGa1-xN)三元混晶膜。以二乙基一氯鎵(DEGaCl)及氨氣(NH3)作為反應原料，並選用已成長氮化鎵的藍寶石磊晶片為基材，…