檢索結果：共5筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="氮化鉭"
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摘 要 本研究探討高氮量氮化鉭(TaN1+x)薄膜於矽基材之系統中，TaN1+x/Si界面微結構及反應，研究中採用Si(111) 5英吋晶圓為基板，以濺鍍方式沈積氮化鉭金屬薄膜30 nm，於…
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摘 要 本研究探討氮化鉭薄膜於鉻/氮化鉭/矽之系統中，其鉻/氮化鉭/矽界面微結構及反應，期望對氮化鉭薄膜於金屬鉻的阻障層作用有更進一步的了解。 研究採用12英吋Si(100)晶圓為基板，以濺…
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本研究聚焦以 α-氮化碳 (Alpha carbon nitride, α-C3N4) 作為介電層，應用於雙極電阻式記憶體 (Bipolar Resistive Random Access …
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以RF濺鍍來成長TaNx薄膜並觀察N2/Ar流量比對TaNx薄膜之沈積速率、N/Ta原子比、電阻率及結晶結構之影響。實驗結果顯示TaNx薄膜的沈積速率會隨著N2/Ar流量比的增加而下降；TaNx薄膜…
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本研究目的在開發高阻值(≧3 kΩ)以及低TCR值(±25 ppm/℃)之薄膜電阻元件。實驗材料系統可分為氮化鉭(TaN)、共濺鍍氮化鉭與銅複合膜(TaN/Cu)以及氮化氧鈦(TiNO)，三種材料系…