檢索結果:共4筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="光響應"
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此研究先以反應式離子束濺鍍法於SiO2基板上依不同的氧氬比沉積銅氧化物薄膜,由Ar:O2=3.5:2.5的比例沉積300 oC與400 oC的氧化銅和Ar:O2=4.2:0.7的比例沉積300 oC…
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本論文探討利用分子束磊晶技術成長的狄拉克半金屬砷化鎘(Cd3As2)薄膜製成自供電光偵測器與其物理機制。因為 Cd3As2 電子遷移率遠大於電洞,利用這個獨特的特性,我們提出可利用光登伯效應 (Ph…
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本實驗利用氣相傳輸法在氧氣環境下以金屬鋅顆粒為蒸發源,製備出鋅-氧化鋅核殼結構奈米線。此核殼結構其內層鋅直徑約為53 nm,外層包覆一層厚度約7.5 nm的氧化鋅,並沿[112 ‾0]方向成長。經過…
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本篇論文主要探討如何利用光登伯效應 (Photo-Dember Effect) 製作一種自供電與非致冷的紅外光登伯偵測器,。我們發現可以通過利用電子電洞極大的遷移率差異,在半導體與電極邊界處產生電洞…