檢索結果:共14筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="光電晶體"
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本論文使用具有超晶格(Super Lattice)結構的電子阻擋層(Electron Blocking Layer, EBL)的商用氮化鎵藍光LED晶圓,利用矽擴散的方式,將最上層的p-GaN反轉成…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖形化藍寶石基板的晶圓,製作兩種不同種類的光偵測器,第一種為p-i-n結構光偵測器,第二種為n-p-i-n結構光電晶體光偵測器,後者使用矽擴散的…
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本論文研究應用於光通訊系統之積體電路元件,包含矽鍺發光晶片、矽鍺檢光晶片、可調式轉阻放大器與自動增益控制放大器,分別採用台積電(TSMC)之0.35μm SiGe 3P3M製程及0.18μm CMO…
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本論文研究應用於光通訊系統的相關積體電路,包含發光元件、光接收元件、轉阻放大器、壓控振盪器與資料時脈回復電路。 第一部份探討光電晶體發光與檢光的設計,使用的是台積電0.35μm SiGe 3P…
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本論文主要研究氮化鎵光偵測器與LED警示燈模組,在功能上做應用端的延伸以及元件改良,使研發模組具有更好的元件性能以及多樣的應用端功能,來實現未來商業化的可能性。 在模組元件氮化鎵光偵測器與L…
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以金屬氧化物為通道的薄膜電晶體因其高載子遷移率、均勻性、可在較低溫下成長等特性,除了應用於軟性電子或是顯示器領域皆具有相當高的潛力外,也可以當作光電晶體,不同於光二極體,其具有高響應度與靈敏度,因此…
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金屬氧化物薄膜電晶體具有高載子遷移率、大面積下有良好的均勻性、低溫製程及高光穿透度等優點,因此被廣泛的應用在顯示器領域,除此之外,金屬氧化物薄膜電晶體也可以作為光感測的用途,其具有比光二極體更高的光…
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本論文研製積體化紫外光感測器與LED警示燈。所使用的晶圓為商用氮化鎵晶圓,經由光罩設計與利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程,達到選擇性地將部分最上層的p-GaN反轉成n-GaN,使…
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顯示器在日常生活中的應用越來越廣泛,其應用包含高畫素大尺寸主動矩陣式有機發光二極體顯示器、虛擬時境及互動式顯示器,這些下一世代的顯示器皆具備高畫素密度,而金屬氧化物薄膜電晶體搭配傳統的二氧化矽閘極絕…
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本論文使用學長製作出的氮化鎵光電晶體光偵測器,量測出其暗電流(Dark current)、外部量子效應(EQE)、計算出響應率、響應時間、響應的雜訊以及不同光強度下的電壓訊號。量測的元件為n-p-i…