檢索結果：共24筆資料 檢索策略： cadvisor.raw="柯文政"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
2
目前矽晶太陽能電池仍為市場主流，其中鈍化射極接觸(passivated emitter rear cell, PERC)太陽能電池，其製程簡單且能有效提升光電轉換效率，逐漸成為廠商發展高效率太陽能電…
3
本研究探討利用化學氣相沉積系統於二氧化矽/矽基板上成長二硫化鉬薄膜並分析其光電特性實驗中。分別利用熱蒸氣沉積以及熱蒸氣硫化兩種成長方法製備二硫化鉬薄膜。熱蒸氣沉積製備方法為將三氧化鉬粉末與硫粉在高溫…
4
這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層（AlN BL），可以在少層石墨烯（FLG）/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的低溫AlN…
5
6
類鑽碳膜（Diamond-like carbon, DLC）具有高硬度、高絕緣性、高生物相容性、高化學惰性和導熱性等優點。本研究中，使用ECR電漿與RF電漿組成之混成式電漿化學氣相沉積系統( Hyb…
7
本篇論文呈現了氮化鋁緩衝層結構之於石墨烯/藍寶石基板上製備高品質氮化鎵薄膜的重要性。本文使用低壓化學氣相沉積法（LPCVD）在在藍寶石基板上成長石墨烯。首先會在兩吋藍寶石基板上蒸鍍一層銅膜以便於獲取…
8
氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料，在高功率動作下，元件將被施加更高偏壓，因此，如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構，降…
9
圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate, PSS)具有降低氮化鎵磊晶薄膜貫穿型差排缺陷密度之效用，然而無圖案區域差排缺陷密度仍高。本研究在圖案化藍寶石基板上嵌入石…
10
氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料，由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上，面臨的兩大瓶…